深圳市誉辉天成电子有限公司

　　产品型号：NCE01P30

　　产品种类：MOSFET

　　产品特性：P沟道增强型功率MOSFET

　　漏源极击穿电压（最大）：-100V

　　连续漏极电流（最大）：-30A

　　功率耗散（最大）：120W

　　栅源极击穿电压：20V

　　漏源导通电阻（典型值）(10V)：50mΩ

　　封装：TO220

　　一般特征：

　　VDS=-100V,ID=-30A

　　RDS(ON)<58mΩ@vg=-10v(Typ：50mΩ)

　　超高密度电池设计

　　先进的挖沟工艺技术

　　可靠耐用

　　高密度电池设计，超低导通电阻

　　应用程序：

　　便携式设备和电池供电系统

　　绝对最大额定值(TC=25℃，除非另有说明)：

　　漏源电压：-100V

　　栅源电压：±20V

　　漏极电流连续：-30A

　　漏极电流连续(TC=100℃)：-21A

　　脉冲漏极电流：-120

　　最大功耗：120W

　　降额因子：0.8W/℃

　　操作结和存储温度范围：-55-175℃

　　誉辉天成之经营理念：只做原装正品，假一罚十，所有产品均为原厂订购过来，不收购便宜库存，以诚信为根本，不欺骗客户，在这混乱的，以次充好的市场，我们以信誉至上。选择誉辉天成就选择了正品，也选择了安心，不用担心会出质量问题。